FF200R06KE3 datablad, funktioner og industrielle applikationer
2025-04-03 192

FF200R06KE3 af Infineon Technologies er en kraftfuld komponent, der bruges til at styre høje effektbehov effektivt.Dette modul er pakket i en lille størrelse, men leverer høj ydeevne med avanceret IGBT -teknologi og specielle funktioner for bedre effektivitet.Denne artikel forklarer modulets nøglefunktioner, design og fordele, der understreger dens rolle i forskellige applikationer.

Katalog

FF200R06KE3 Oversigt

De FF200R06KE3, udformet af Infineon Technologies, er en dobbelt isoleret gate bipolar transistor (IGBT) -modul, der skiller sig ud med dets 600 V, 200 A -specifikationer.På en kompakt 62 mm -pakke kombinerer den Trenchstop ™ IGBT3 -teknologi med en emitterstyret 3 diode.Denne integration øger både effektivitet og ydeevne, hvilket gør det til et øverste valg til applikationer, der kræver robust strømstyring.

For dem, der ønsker at placere bulkordrer, tilbyder FF200R06KE3 en pålidelig og højtydende løsning for at imødekomme dine behov.

FF200R06KE3 -funktioner

• Spænding og aktuelle ratings: I stand til at håndtere op til 600 V og 200 A, hvilket gør det velegnet til applikationer med høj effekt.

• Avanceret teknologi: Anvendelse af Trenchstop ™ IGBT3 og Emitter -kontrollerede 3 diodeteknologier til optimerede skiftegenskaber, herunder forbedret blødhed og reducerede switchtab.

• Høj driftstemperatur: Designet til at fungere ved temperaturer op til 150 ° C, hvilket sikrer pålidelighed under krævende forhold.

• Monteringsstil: Har et skruemonteringsdesign til sikker og ligetil installation.

• UL/CSA -certificering: Certificeret under UL1557 E83336, opfylder strenge sikkerheds- og præstationsstandarder.

• ROHS -overholdelse: Overholder begrænsningen af ​​direktivet om farlige stoffer, hvilket afspejler dets miljøvenlige design.

FF200R06KE3 -specifikationer

Maksimale nominelle værdier

Karakteristiske værdier

FF200R06KE3 kredsløbsdiagram

Kredsløbsdiagrammet viser den interne struktur af FF200R06KE3 IGBT -modulet.Den har to IGBT-transistorer, der er forbundet i en halvbro-konfiguration, som er almindelig til at skifte applikationer såsom invertere og motordrev.Terminaler 1 og 3 er samlerne af hver IGBT, mens terminaler 2 og 4 er emittere.Hver IGBT er parret med en anti-parallel diode, hvilket gør det muligt for strøm at flyde i den modsatte retning under skift.Terminaler 5 og 6 repræsenterer portkontrollerne for IGBT'erne, og terminal 7 er en delt emitterforbindelse.Dette layout understøtter effektiv skift og pålidelig omvendt gendannelse gennem de indbyggede dioder.Det er designet til at håndtere høje strømme og spænding med reduceret effekttab.FF200R06KE3 er en praktisk løsning til systemer, der har brug for stabil, højtydende skift.

FF200R06KE3 alternativer

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 -applikationer

Frekvensstyrede inverter-drev

Modulets optimerede skiftegenskaber, såsom reducerede switchtab og forbedret blødhed, forbedrer ydelsen og effektiviteten af ​​invertersystemer.​

Industrielle motordrev

I stand til at håndtere høje strømme og spændinger er FF200R06KE3 velegnet til at kontrollere store industrielle motorer, hvilket giver pålidelig og præcis motorisk drift.

Strømforsyninger

Modulets højeffekthåndteringsfunktioner gør det ideelt til brug i strømforsyningsenheder, der kræver effektiv energikonvertering og styring.

Vedvarende energisystemer

I applikationer som solenergi og vindenergi -konvertering kan FF200R06KE3 bruges til at styre effektiv overførsel og konvertering af energi fra vedvarende kilder.

FF200R06KE3 Pakkeoversigt

Emballagediagrammet for FF200R06KE3 viser et detaljeret mekanisk layout af modulet.Den bruger en standard 62 mm bolig, der måler 106,4 mm i længden og 62 mm i bredden.Modulet har tre hovedterminaler til strømforbindelser, der hver er fordelt jævnt ved 28 mm fra hinanden med monteringshuller i begge ender til sikker installation.Højden på huset er omkring 30 mm, inklusive terminalstifterne.Det inkluderer et 7-polet kontrolstik (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) på siden for Gate og Emitter Signal Control.Tegningen specificerer også monteringsdybder (mindst 7 mm, maksimalt 10 mm) og tolerancer i henhold til ISO2768 -standarder.Denne standardiserede kontur hjælper dig med at integrere modulet let i dine designs med præcis montering og ledninger.

FF200R06KE3 fordele

Høj effektivitet: Ved anvendelse af avanceret IGBT-teknologi opnår modulet lavt spændingsfald med lav status, hvilket resulterer i nedsatte ledningstab og forbedret den samlede effektivitet.

Robust termisk præstation: FF200R06KE3 er designet til god termisk stabilitet og kan fungere effektivt under høje temperaturforhold, hvilket sikrer ensartet ydelse og levetid.

Brugervenlighed: Modulet har et skruemonteringsdesign, der letter ligetil og sikker installation i forskellige systemer.​

Kompakt design: Med en længde på 106,4 mm tilbyder FF200R06KE3 en kompakt formfaktor, der muliggør effektiv brug af plads inden for udstyr og systemer.​

Fabrikant

Infineon Technologies AG, med hovedkvarter i Neubiberg, Tyskland, er en førende global halvlederproducent.Infineon blev oprettet i 1999 som en spin-off fra Siemens Ag og er vokset til at blive et af verdens top ti halvlederfirmaer.Virksomheden beskæftiger cirka 58.000 mennesker og rapporterede om salg på omkring 15 milliarder euro i 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Sammenligning

Parameter	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Collector-Emitter-spænding (vCes)	600 v	1200 v
Kontinuerlig samlerstrøm (iC)	200 a	200 a
Pakningstype	62 mm	62 mm
IGBT -teknologi	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Diodeteknologi	Emitter kontrolleret 3 diode	Emitterkontrolleret diode med høj effektivitet
Drift af forbindelsestemperatur (Tvj op)	Op til 150 ° C.	Op til 125 ° C.
Collector-emitter mætningspænding (VCesat)	1.9 V ved VGe = 15 V, IC = 200 a	2,0 V ved VGe = 15 V, IC = 200 a
Input Capacitance (CIES)	13.0 NF	14.0 NF
Reverse Transfer Capacitance (CRES)	0,5 NF	0,5 NF
Gate Charge (QG)	1,9 µc	1,9 µc
Intern portmodstand (RGINT)	3,8 Ω	3,8 Ω
Turn-on forsinkelsestid (td (on))	0,25 µs	0,25 µs
Rise Time (TR)	0,09 µs	0,09 µs
TURN-OFF-forsinkelsestid (Td (off))	0,55 µs	0,55 µs
Efterårstid (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Total effektafledning (Ptot)	680 w	1050 w
Isoleringstestspænding (VIsol)	2500 v	2500 v
Vægt	340 g	340 g
Monteringstil	Skru montering	Skru montering
Certificering	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS -overholdelse	Ja	Ja

Konklusion

Sammenfattende demonstrerer FF200R06KE3 -modulet fra Infineon Technologies innovation inden for strømstyring.Det er designet til at støtte en lang række krævende applikationer med dens høje effektivitet og robuste ydelse.Denne artikel viser, hvorfor FF200R06KE3 er et pålideligt valg for alle, der har brug for avancerede strømløsninger, hvilket gør det til et værdifuldt værktøj i moderne industrielle omgivelser.

Datablad PDF

FF200R06KE3 datablad:

FF200R06KE3.PDF
FF200R06KE3 Detaljer PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - FR.PDF
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - IT.PDF
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF