| FDA28N50F | |
|---|---|
| Varenummer | FDA28N50F |
| Fabrikant | onsemi |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| Mængde Tilgængelig | 9350 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
| FDA28N50F Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af FDA28N50F | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | FDA28N50F | Kategori | |
| Fabrikant | onsemi | Beskrivelse | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
| Pakke / tilfælde | TO-3PN | Mængde Tilgængelig | 9350 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | TO-3PN |
| Serie | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 500 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Basisproduktnummer | FDA28 | ||
| Hent | FDA28N50F PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
FDA28N50F
Introduktion
N-kanal 500V 28A MOSFET designet til højeffektiv strømstyring.
Mærke og Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funktioner
Høj spændingskapacitet op til 500V. Kontinuerlig drænkort strøm på 28A ved 25°C. Lav Rds(on) på 175 mOhm maksimerer effektiviteten. Høj effektafledning på 310W. Gennemgående montering for nem installation.
Produktpræstation
Fungerer effektivt inden for et temperaturinterval fra -55°C til 150°C. Understøtter en gate-ladning på 105nC ved 10V. Indgangskapacitans på 5387pF ved 25V. Drivspænding på 10V for optimal Rds On.
Tekniske Specifikationer
FET-type: N-kanal. Dræn til kilde spænding (Vdss): 500V. Strøm - Kontinuerlig dræn (Id) @ 25°C: 28A. Rds On (maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm. Vgs(th) (maks) @ Id: 5V. Gate-ladning (Qg) (maks) @ Vgs: 105nC. Indgangskapacitans (Ciss) (maks) @ Vds: 5387pF. Drivspænding (maks Rds On, min Rds On): 10V.
Dimensioner, Form og Forpakning
Pakke / sag: TO-3P-3, SC-65-3. Leverandør enhed pakket: TO-3PN. Emballage: Rør.
Kvalitet og Tillid
Bly-fri og RoHS-kompatibel. Fugtighedsfølsomhedsniveau (MSL): 1 (Ubegrænset).
Produktfortrinn
Høj spændings- og strømkapacitet velegnet til krævende applikationer. Lav on-modstand hjælper med at reducere energitab.
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtig leveringstid på 6 uger. En del af UniFET-serien, kendt for pålidelighed og ydeevne.
Kompatibilitet
Kompatibel med standard procedurer for gennemgående montering.
Standardcertificering og Overholdelse
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel.
Levetid og Bæredygtighed
Holdbar konstruktion velegnet til industrielle applikationer med et bredt driftstemperaturinterval.
Virkelige Anvendelsesområder
Strømforsyninger, motorstyringer, inverterkredsløb, switch mode strømforsyninger.
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FDA28N50F Online.
| FDA28N50F lager | FDA28N50F pris | FDA28N50F Electronics | |||
| FDA28N50F komponenter | FDA28N50F Inventory | FDA28N50F Digikey | |||
| Leverandør FDA28N50F | Bestil FDA28N50F Online | Forespørgsel FDA28N50F | |||
| FDA28N50F billede | FDA28N50F Billede | FDA28N50F PDF | |||
| FDA28N50F datablad | Download FDA28N50F Dataark | Producent | |||
| Relaterede dele til FDA28N50F | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
 |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
|
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
|
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
 |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
|
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
|
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.