Produktmodel

FDG6332C

Introduktion

Mosfet-array N- og P-kanal 20V 700mA, 600mA

Mærke og Producent

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Funktioner

N- og P-kanal, logikniveau-gate, overflademonterings-teknologi, blyfri, RoHS-kompatibel

Produktpræstation

Dræn-til-kilde-spænding: 20V, kontinuerlig dræningstrøm: 700mA (N-kanal), 600mA (P-kanal), Rds On (max): 300 mOhm ved 700mA, 4.5V, gate-ladning (Qg) (max): 1.5nC ved 4.5V, indgangskapacitans (Ciss) (max): 113pF ved 10V

Tekniske Specifikationer

Effekt - max: 300mW, spænding - output: PowerTrench, Vgs(th) (max) @ Id: 1.5V ved 250µA

Dimensioner, Form og Forpakning

6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pakke, leverandør enhedspakke: SC-70-6, emballage: tape & reel (TR)

Kvalitet og Tillid

Fugtfølsomhedsniveau (MSL): 1 (ubegrænset)

Produktfortrinn

Høj effektivitet med PowerTrench-teknologi, lav on-modstand, høj termisk ydeevne

Produktkonkurrenceevne

Konkurrencedygtigt prissat med robuste ydeevnemetrikker i sin klasse

Kompatibilitet

Kompatibel med logikniveau-applikationer

Standardcertificering og Overholdelse

Blyfri, RoHS-kompatibel

Levetid og Bæredygtighed

Holdbart design beregnet til langvarig brug i forskellige miljøer

Virkelige Anvendelsesområder

Brugt i effektstyring, switching og forstærkningsapplikationer på tværs af flere sektorer, herunder forbrugerelektronik, bilindustri og industrielle systemer

FDG6332C er nyt og original på lager, Find FDG6332C elektronik komponenter lager, datablad, lager og pris på Ariat-Tech. Online, Bestil FDG6332C onsemi med garanti og tillid fra Ariat Technology Limitd. Send via DHL / FedEx / UPS. Betaling med bankoverførsel eller PayPal er OK.
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FDG6332C Online.