| FQA140N10 | |
|---|---|
| Varenummer | FQA140N10 |
| Fabrikant | onsemi |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN |
| Mængde Tilgængelig | 4500 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | 1.FQA140N10.pdf2.FQA140N10.pdf3.FQA140N10.pdf4.FQA140N10.pdf5.FQA140N10.pdf6.FQA140N10.pdf7.FQA140N10.pdf8.FQA140N10.pdf |
| FQA140N10 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af FQA140N10 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | FQA140N10 | Kategori | |
| Fabrikant | onsemi | Beskrivelse | MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN |
| Pakke / tilfælde | TO-3PN | Mængde Tilgængelig | 4500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | TO-3PN |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 70A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 7900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 100 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Basisproduktnummer | FQA140 | ||
| Hent | FQA140N10 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
FQA140N10
Introduktion
Højtydende N-Kanal MOSFET
Mærke og Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funktioner
N-Kanal 100V 140A (Tc) MOSFET, 375W effektabsorption, blyfri / RoHS-kompatibel, fugtfølsomhedsniveau 1, lav Rds (On) 10 mOhm
Produktpræstation
140A kontinuerlig afløbsstrøm (Tc), 100V afløb til kilde spænding (Vdss), 285nC gate-ladning (Qg) maksimum, 7900pF indgangskapacitans (Ciss) maksimum
Tekniske Specifikationer
Through Hole TO-3PN pakke, Rds On (maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V, indgangskapacitans (Ciss) (maks) @ Vds: 7900pF @ 25V, drivspænding (maks Rds On, minimum Rds On): 10V, effektabsorption (maks): 375W (Tc)
Dimensioner, Form og Forpakning
TO-3P-3, SC-65-3 pakke, rørpakning
Kvalitet og Tillid
Blyfri og RoHS-kompatibel, MSL 1 (ubegribelig)
Produktfortrinn
Høj afløbsstrømskapacitet, effektiv effektabsorption, lav on-modstand
Produktkonkurrenceevne
Højtydende med konkurrencedygtige priser, velegnet til høj effektapplikationer
Kompatibilitet
Kompatibel med standard MOSFET-drivspændinger, through hole montering for nem integration
Standardcertificering og Overholdelse
Blyfri / RoHS-kompatibel
Levetid og Bæredygtighed
Designet til langvarig pålidelighed, fugtfølsomhedsniveau 1 for forbedret holdbarhed
Virkelige Anvendelsesområder
Strømforsyningsenheder, DC-DC-omformere, motorstyringer, switching-applikationer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FQA140N10 Online.
| FQA140N10 lager | FQA140N10 pris | FQA140N10 Electronics | |||
| FQA140N10 komponenter | FQA140N10 Inventory | FQA140N10 Digikey | |||
| Leverandør FQA140N10 | Bestil FQA140N10 Online | Forespørgsel FQA140N10 | |||
| FQA140N10 billede | FQA140N10 Billede | FQA140N10 PDF | |||
| FQA140N10 datablad | Download FQA140N10 Dataark | Producent | |||
| Relaterede dele til FQA140N10 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA13N50CF_F109 | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA13N80-F109 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA13N50CF | MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA14N10 | FSC | |||
|
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA15N70 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA140N10 RHRG30120 | FAIRCHILD | |||
 |
FQA13N50C-F109 | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N80_F109 | FQA13N80_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA16N25C | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N50C_F109 | FQA13N50C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA140N10 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FQA14N30 | MOSFET N-CH 300V 15A TO3P | onsemi | ||
|
FQA13N80 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA16N25C | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA160N08 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA160N08 | MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN | onsemi | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.