| HGTP5N120BND | |
|---|---|
| Varenummer | HGTP5N120BND |
| Fabrikant | onsemi |
| Beskrivelse | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Mængde Tilgængelig | 2877 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | 1.HGTP5N120BND.pdf2.HGTP5N120BND.pdf3.HGTP5N120BND.pdf4.HGTP5N120BND.pdf5.HGTP5N120BND.pdf6.HGTP5N120BND.pdf7.HGTP5N120BND.pdf8.HGTP5N120BND.pdf9.HGTP5N120BND.pdf |
| HGTP5N120BND Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af HGTP5N120BND | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | HGTP5N120BND | Kategori | |
| Fabrikant | onsemi | Beskrivelse | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Pakke / tilfælde | TO-220-3 | Mængde Tilgængelig | 2877 pcs |
| Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) | 1200 V | Vce (på) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Testtilstand | 960V, 5A, 25Ohm, 15V | Td (tænd / sluk) @ 25 ° C | 22ns/160ns |
| Skifte energi | 450µJ (on), 390µJ (off) | Leverandør Device Package | TO-220-3 |
| Serie | - | Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Strøm - Max | 167 W | Pakke / tilfælde | TO-220-3 |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole | Input Type | Standard |
| IGBT Type | NPT | Gate Charge | 53 nC |
| Nuværende - Collector Pulsed (Icm) | 40 A | Nuværende - Samler (Ic) (Max) | 21 A |
| Basisproduktnummer | HGTP5N120 | ||
| Hent | HGTP5N120BND PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
HGTP5N120BND
Introduktion
IGBT NPT 1200V 21A 167W gennemgående hul
Mærke og Producent
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funktioner
NPT IGBT teknologi, højhastighedsswitching, lav mætning spænding
Produktpræstation
Collector-Emitter nedbrudsspænding: 1200V, maksimal collectorstrøm: 21A, effektfordeling: 167W, omvendt genopretningstid: 65ns
Tekniske Specifikationer
Gate-ladning: 53nC, Vce(on) (maks) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, pulseret collectorstrøm (Icm): 40A, switching energi: 450J (tændt), 390J (slukket)
Dimensioner, Form og Forpakning
Pakke / Kasse: TO-220-3, emballage: rør, monterings-type: gennemgående hul
Kvalitet og Tillid
Fugtighedsfølsomhedsniveau (MSL): 1 (Ubegrænset)
Produktfortrinn
Egnet til højtydende applikationer, effektiv termisk ydeevne
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtig nedbrudsspænding og strømklassificering
Kompatibilitet
Gennemgående hul montering kompatibel med standard PCB'er
Standardcertificering og Overholdelse
Blyfri status / RoHS status: Blyfri / RoHS kompatibel
Levetid og Bæredygtighed
Holdbar konstruktion for vedvarende ydeevne
Virkelige Anvendelsesområder
Motorstyring, strømforsyninger, vedvarende energisystemer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ HGTP5N120BND Online.
| HGTP5N120BND lager | HGTP5N120BND pris | HGTP5N120BND Electronics | |||
| HGTP5N120BND komponenter | HGTP5N120BND Inventory | HGTP5N120BND Digikey | |||
| Leverandør HGTP5N120BND | Bestil HGTP5N120BND Online | Forespørgsel HGTP5N120BND | |||
| HGTP5N120BND billede | HGTP5N120BND Billede | HGTP5N120BND PDF | |||
| HGTP5N120BND datablad | Download HGTP5N120BND Dataark | Producent | |||
| Relaterede dele til HGTP5N120BND | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
HGTP7N60A4 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Fairchild Semiconductor | ||
 |
HGTP3N60A4G3N60A4 | FSC TO220 14+ | FSC | ||
|
HGTP3N60A4D | N-CHANNEL IGBT | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTP7N60A4 7N60A4 | FSC TO-220 | FSC | ||
 |
HGTP7N60A4 | IGBT 600V 34A TO220-3 | onsemi | ||
|
HGTP7N60A4D | IGBT 600V 34A 125W TO220AB | onsemi | ||
|
HGTP6N40EID | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60A4D | IGBT 600V 17A 70W TO220AB | onsemi | ||
|
HGTP3N60A4 | N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60B3R4724 | 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP7N60A4 G7N60A4 | HGTP7N60A4 G7N60A4 FSC | FSC | ||
|
HGTP6N50E1D | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
HGTP3N60C3 | 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60A4,G3N60A4 | FSC TO220 | FSC | ||
 |
HGTP7N60A4-F102 | IGBT 600V 34A TO220-3 | onsemi | ||
 |
HGTP5N120BN | HGTP5N120BN Intersil | Intersil | ||
|
HGTP3N60C3D | HGTP3N60C3D FSC | FSC | ||
|
HGTP3N60B3 | 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP5N120CN | IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTP6N40E1D | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.