SI7792DP-T1-GE3 | |
---|---|
Varenummer | SI7792DP-T1-GE3 |
Fabrikant | Vishay Siliconix |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
Mængde Tilgængelig | 2575 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
ECAD -model | |
Dataark | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
SI7792DP-T1-GE3 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Teknisk information af SI7792DP-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Producentens varenummer | SI7792DP-T1-GE3 | Kategori | |
Fabrikant | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 | Mængde Tilgængelig | 2575 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 |
Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
FET-funktion | Schottky Diode (Body) | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS) | 30 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
Basisproduktnummer | SI7792 | ||
Hent | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI7792DP-T1-GE3
N-kanals Power MOSFET med Schottky Diode
Electro-Films (EFI) / Vishay
MOSFET (Metal Oxid) N-kanal Integreret Schottky Diode (Kropp diode) Høj kontinuerlig dræningsstrøm Blyfri / RoHS-kompatibel Overflademonterings teknologi
Høj effektfordelelse Effektiv termisk styring Lav Rds On for forbedret effektivitet Høj dræn-til-kilde spænding Hurtig switching
30V dræn-til-kilde spænding 40.6A til 60A kontinuerlig dræningsstrøm 2.1 mOhm Rds On ved 20A, 10V 4.5V til 10V drevespænding 135nC gate ladning ved 10V 4.735nF indgangskapacitans ved 15V ±20V gate-til-kilde spænding
PowerPAK SO-8 pakke Tape & Reel emballage til automatiseret montering
Fugtighedssensitivitetsniveau 1 Robust konstruktion for holdbarhed
Lav ledningsmæssige tab Højhastigheds-switching evner Effektiv energikonvertering
TrenchFET Gen III teknologi for overlegen ydeevne SkyFET-serie anerkendt for kvalitet
Kompatibel med andre overflademonterede enheder Integreret kroppediod for forenklet kredsløbsdesign
Blyfri RoHS-kompatibel
Designet til langvarig pålidelighed
Strømstyring DC/DC konvertere Motorstyringer Computere Telekommunikation
SI7792DP-T1-GE3 lager | SI7792DP-T1-GE3 pris | SI7792DP-T1-GE3 Electronics | |||
SI7792DP-T1-GE3 komponenter | SI7792DP-T1-GE3 Inventory | SI7792DP-T1-GE3 Digikey | |||
Leverandør SI7792DP-T1-GE3 | Bestil SI7792DP-T1-GE3 Online | Forespørgsel SI7792DP-T1-GE3 | |||
SI7792DP-T1-GE3 billede | SI7792DP-T1-GE3 Billede | SI7792DP-T1-GE3 PDF | |||
SI7792DP-T1-GE3 datablad | Download SI7792DP-T1-GE3 Dataark | Producent Electro-Films (EFI) / Vishay |
Relaterede dele til SI7792DP-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
![]() |
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
![]() |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
![]() |
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
![]() |
SI7784DP | VISHAY | |||
![]() |
SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
![]() |
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
![]() |
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix |
Nyheder
MereMicrochips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
MereBluetooth® Xpress-moduler og udviklingsplatformSilicon Labs 'Blue Gecko Xpress BGX13 er et trådløst Xpress-modul, der er specielt designet til at g...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub GHz og 2.4 GHz Proprietære Wireless Starter Kit Silicon Labs 'EFR32 Flex Ge...
Wi-Fi Udviklingssæt til Zentri AMW007-E03 Modul Silicon Labs AMW007-udviklingssæt hjælper brugere...
Si3404 og Si3406x Power over Ethernet (PoE) -drevne enhedschips Silicon Labs 'Si3404 og Si3406x lave...
Si86xx Digital Isolators Family Silicon Labs digitale isolatorer tilbyder understøttelse af op til ...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.