Produktmodel

AUIRS21811STR

Introduktion

Højspændings, højhastigheds power MOSFET og IGBT driver med uafhængige outputkanaler refereret til høje og lave sider.

Mærke og Producent

Infineon Technologies

Funktioner

Halvbro drevet konfiguration, uafhængig kanalsystemtype, dobbeltdrivere til IGBT og N-kanal MOSFET, non-inverting input type, bootstrap kredsløb til høj side drive, integreret undervoltsbeskyttelse.

Produktpræstation

Forsyningsspændingsområde: 10V til 20V; Logiske indgangstærskler: VIL 0,8V, VIH 2,5V; Høj spidseffektstrøm: Kilde 1,9A, Sink 2,3A; Høj side spænding: Maks 600V (Bootstrap); Hurtige switching hastigheder: Stigningstid 60ns, faldetid 35ns (maks).

Tekniske Specifikationer

Gate driver spændingsområde: 10V til 20V; Logiske indgangstærskler: VIL 0,8V, VIH 2,5V; Output spidseffektstrøm: Kilde 1,9A, Sink 2,3A; Maks bootstrap spænding: 600V; Stigning/Fald tid: 60ns/35ns.

Dimensioner, Form og Forpakning

Monteringstype: Overflademontering; 8-SOIC pakke (0,154", 3,90mm bred); Emballage på tape og reel (TR).

Kvalitet og Tillid

Drifts temperaturinterval: -40°C til 150°C.

Produktfortrinn

Høj integration for kompakte designs; Forenklet design for halvbro konfigurationer.

Produktkonkurrenceevne

Velegnet til højfrekvente operationer; Holdbart og pålideligt ved høje temperaturer.

Kompatibilitet

Grænseflade med mikrocontrollere eller digital logik.

Standardcertificering og Overholdelse

Industri standard SOIC-8 pakke.

Levetid og Bæredygtighed

Robust termisk ydeevne der forlænger levetiden.

Virkelige Anvendelsesområder

Switch Mode Power Supplies; DC-DC konvertere; Motorstyring; Invertere og klasse D audio.

AUIRS21811STR er nyt og original på lager, Find AUIRS21811STR elektronik komponenter lager, datablad, lager og pris på Ariat-Tech. Online, Bestil AUIRS21811STR Infineon Technologies med garanti og tillid fra Ariat Technology Limitd. Send via DHL / FedEx / UPS. Betaling med bankoverførsel eller PayPal er OK.
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ AUIRS21811STR Online.