| IAUC120N04S6L005ATMA1 | |
|---|---|
| Varenummer | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Fabrikant | Infineon Technologies |
| Beskrivelse | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Mængde Tilgængelig | 5050 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af IAUC120N04S6L005ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | IAUC120N04S6L005ATMA1 | Kategori | |
| Fabrikant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beskrivelse | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Pakke / tilfælde | PG-TDSON-8-53 | Mængde Tilgængelig | 5050 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | Vgs (Max) | ±16V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | PG-TDSON-8-53 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 60A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) | Pakke / tilfælde | 8-PowerTDFN |
| Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 11203 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 40 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 120A (Tj) |
| Basisproduktnummer | IAUC120 |
Produktmodel
IAUC120N04S6L005ATMA1
Introduktion
Højtydende N-kanal MOSFET designet til effektregulering og omstilling
Mærke og Producent
International Rectifier (Infineon Technologies)
Funktioner
N-kanal MOSFET, ideel til høj effektivitet i effektregulering. Understøtter overflademonterings-teknologi for kompakt samling. Forbedret termisk håndtering med PowerTDFN 8-pakke. Robust over for gentagne lavenergi hændelser.
Produktpræstation
Kan håndtere kontinuerlige drænskstrømme op til 120A ved 25°C. Opererer effektivt inden for et temperaturområde fra -55°C til 175°C. Lav on-modstand på 0,55mOhm ved 60A og 10V, hvilket minimerer effekttab. Høj gate-ladning og indgangskapacitans fremmer hurtig omstilling.
Tekniske Specifikationer
Dræn til kilde spænding (Vdss): 40V. Kontinuerlig drænkstrøm (Id): 120A. On-modstand (Rds On): 0.55mOhm. Gate tærskelspænding (Vgs(th)): 2V. Gate-ladning (Qg): 177 nC. Indgangskapacitans (Ciss): 11203 pF. Driftsspænding: 4,5V til 10V. Maksimal gate kilde spænding (Vgs Max): ±16V.
Dimensioner, Form og Forpakning
8-PowerTDFN pakke. Kompakt overflademonteringsform (PG-TDSON-8-53).
Kvalitet og Tillid
Bygget til at modstå barske miljøer og høje termiske krav. Designet til langvarig pålidelighed i højtydende applikationer.
Produktfortrinn
Høj strømkapacitet og lav varmeudvikling. Optimeret til højdensitets effektapplikationer.
Produktkonkurrenceevne
Konkurrerer effektivt i markeder, der kræver høj effektivitet og pålidelighed i effektregulering.
Kompatibilitet
Kompatibel med forskellige højtydende effektreguleringskredsløb.
Standardcertificering og Overholdelse
Opfylder industristandarder for ydeevne og sikkerhed.
Levetid og Bæredygtighed
Designet til holdbarhed og lang driftstid under strenge forhold.
Virkelige Anvendelsesområder
Velegnet til strømforsyninger, DC-DC-konvertere, motorstyringer og andre højtydende applikationer.
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ IAUC120N04S6L005ATMA1 Online.
| IAUC120N04S6L005ATMA1 lager | IAUC120N04S6L005ATMA1 pris | IAUC120N04S6L005ATMA1 Electronics |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 komponenter | IAUC120N04S6L005ATMA1 Inventory | IAUC120N04S6L005ATMA1 Digikey |
| Leverandør IAUC120N04S6L005ATMA1 | Bestil IAUC120N04S6L005ATMA1 Online | Forespørgsel IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 billede | IAUC120N04S6L005ATMA1 Billede | IAUC120N04S6L005ATMA1 PDF |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 datablad | Download IAUC120N04S6L005ATMA1 Dataark | Producent Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
