| IXTA3N120 | |
|---|---|
| Varenummer | IXTA3N120 |
| Fabrikant | IXYS |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
| Mængde Tilgængelig | 5100 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | IXTA3N120.pdf |
| IXTA3N120 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af IXTA3N120 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | IXTA3N120 | Kategori | |
| Fabrikant | IXYS / Littelfuse | Beskrivelse | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 |
| Pakke / tilfælde | TO-263AA | Mængde Tilgængelig | 5100 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | TO-263AA |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 1200 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Basisproduktnummer | IXTA3 | ||
| Hent | IXTA3N120 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
IXTA3N120
Introduktion
Høj spænding N-kanal Power MOSFET
Mærke og Producent
IXYS Corporation
Funktioner
Metaloxid MOSFET-teknologi, N-kanal for højere effektivitet, Høj dræn-til-kilde spænding - 1200V, Overflademonteret TO-263 emballage
Produktpræstation
Kontinuerlig drænstrøm på 3A ved 25°C, Lav on-modstand på 4,5 Ohm ved 1,5A, 10V, Høj effektafgivelsesevne på 200W
Tekniske Specifikationer
FET Type: N-kanel MOSFET, Dræn-til-kilde spænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerlig dræn (Id): 3A, Rds On: 4,5 Ohm, Gate Charge (Qg): 42nC, Indgangskapacitans (Ciss): 1350pF, Driftsspænding: 10V, Drifts temperatur: -55°C til 150°C
Dimensioner, Form og Forpakning
Pakke: TO-263-3, D2PAK, Blyfri / RoHS Kompatibel, Emballage: Rør
Kvalitet og Tillid
Pålidelig ydeevne under ekstreme forhold
Produktfortrinn
Høj spændingskapacitet ideel til effektregulering, Energieffektiv N-kanal design, Blyfri og i overensstemmelse med miljøregler
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtig i højspændings kræft-anvendelser
Kompatibilitet
Kompatibel med forskellige kredsløb, der kræver høj spænding
Standardcertificering og Overholdelse
RoHS Kompatibel
Levetid og Bæredygtighed
Holdbar design for langvarig brug
Virkelige Anvendelsesområder
Strømforsyningsenheder, Motorstyringer, Invertere, Omformere, Elektriske køretøjer, Vedvarende energisystemer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ IXTA3N120 Online.
| IXTA3N120 lager | IXTA3N120 pris | IXTA3N120 Electronics | |||
| IXTA3N120 komponenter | IXTA3N120 Inventory | IXTA3N120 Digikey | |||
| Leverandør IXTA3N120 | Bestil IXTA3N120 Online | Forespørgsel IXTA3N120 | |||
| IXTA3N120 billede | IXTA3N120 Billede | IXTA3N120 PDF | |||
| IXTA3N120 datablad | Download IXTA3N120 Dataark | Producent IXYS / Littelfuse | |||
| Relaterede dele til IXTA3N120 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
IXTA3N120-TRR | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
 |
IXTA3N50D | IXTA3N50D IXYS | IXYS | ||
 |
IXTA3N150HV D2PAK | Original New | Original | ||
|
IXTA3N120 MOS | IXYS TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA3N100 | IXTA3N100 IXYS | IXYS | ||
|
IXTA3N150HV-TRL | MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV | IXYS | ||
|
IXTA3N110 | MOSFET N-CH 1100V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N100D2HV | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV | IXYS | ||
|
IXTA3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N100D2-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA38N15T | MOSFET N-CH 150V 38A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N120HV | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N120-TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N110-TRL | MOSFET N-CH 1100V 3A TO263 | IXYS | ||
 |
IXTA3N120TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | IXYS Corporation | ||
|
IXTA3N120HV-TRL | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV | IXYS | ||
|
IXTA3N100D2HV-TRL | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV | IXYS | ||
|
IXTA3N150HV | MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 | IXYS | ||
|
IXTA3N100P | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 | IXYS | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.