| PMXB43UNE | |
|---|---|
| Varenummer | PMXB43UNE |
| Fabrikant | Nexperia USA Inc. |
| Beskrivelse | PMXB43UNE Nexperia USA Inc. |
| Mængde Tilgængelig | 3391 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | |
| PMXB43UNE Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af PMXB43UNE | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | PMXB43UNE | Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Fabrikant | Nexperia | Beskrivelse | PMXB43UNE Nexperia USA Inc. |
| Pakke / tilfælde | Tape & Reel (TR) | Mængde Tilgængelig | 3391 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | DFN1010D-3 |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde | 3-XDFN Exposed Pad | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 551pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 20V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Hent | PMXB43UNE PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
PMXB43UNE
Introduktion
N-Kanal Forstærkningstype Felt-Effekt Transistor
Mærke og Producent
Nexperia
Funktioner
Overflademontage teknologi, DFN1010D-3 emballage, N-Kanal FET, høj effektafgivelseskapacitet, blyfri og RoHS-kompatibel
Produktpræstation
Driftstemperaturområde -55°C til 150°C, effektafgivelse op til 8.33W, lav on-modstand, høj kontinuerlig drænkstrøm
Tekniske Specifikationer
Dræn til kilde spænding (Vdss) 20V, kontinuerlig drænkstrøm (Id) 3,2A, on-modstand (Rds On) 54 mOhm, gate tærskel spænding (Vgs(th)) 900mV, gate ladning (Qg) 10nC, indgangskapacitans (Ciss) 551pF
Dimensioner, Form og Forpakning
3-XDFN eksponeret pad, pakket i tape & reel (TR) til automatiseret samling
Kvalitet og Tillid
Bygget til langvarig ydeevne, overholder industristandarder for kvalitet
Produktfortrinn
Effektiv strømstyring, lav termisk modstand, forbedret holdbarhed for høj ydeevne
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtig i FET-segmentet, ideel til kompakte og energieffektive designs
Kompatibilitet
Kompatibel med standard overflademontageprocesser
Standardcertificering og Overholdelse
Blyfri, RoHS-kompatibel
Levetid og Bæredygtighed
Designet til lang driftstid, bæredygtigt produkt med miljøvenlige materialer
Virkelige Anvendelsesområder
Strømstyring i computeranvendelser, motorstyring, strømforsyninger, forbrugerelektronik
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ PMXB43UNE Online.
| PMXB43UNE lager | PMXB43UNE pris | PMXB43UNE Electronics | |||
| PMXB43UNE komponenter | PMXB43UNE Inventory | PMXB43UNE Digikey | |||
| Leverandør PMXB43UNE | Bestil PMXB43UNE Online | Forespørgsel PMXB43UNE | |||
| PMXB43UNE billede | PMXB43UNE Billede | PMXB43UNE PDF | |||
| PMXB43UNE datablad | Download PMXB43UNE Dataark | Producent Nexperia | |||
| Relaterede dele til PMXB43UNE | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
PMXB40UNE | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | Nexperia | ||
 |
PMXB350UPEZ | MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
 |
PMXB43UNE/S500Z | PMXB43UNE - N-channel Trench MOS | NXP Semiconductors | ||
|
PMXB40UNE/S500Z | PMXB40UNE - 12V, N-channel Trenc | NXP Semiconductors | ||
|
PMXB43UNEZ | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
 |
PMXB360ENEA | PMXB360ENEA Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB360ENEA147 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | NXP USA Inc. | ||
 |
PMXB43UNE,147 | 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB56EN | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Nexperia | ||
|
PMXB56ENZ | NEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHAN | NXP Semiconductors | ||
|
PMXB350UPEZ | NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH | NXP Semiconductors | ||
|
PMXB43UNEZ | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB40UNEZ | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
 |
PMXB56EN IC | NXP DFN | NXP | ||
|
PMXB40UNEZ | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB56EN | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Nexperia | ||
|
PMXB56ENZ | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB360ENEAZ | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB360ENEAZ | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | ||
|
PMXB56EN147 | SMALL SIGNAL FET | NXP USA Inc. | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.