Produktmodel

2SC2879

Introduktion

Transistor designet til radiofrekvens effektforstærkning

Mærke og Producent

Toshiba Halvleder og Lagring

Funktioner

NPN-transistor, høj effektforstærkning, højfrekvensdrift, designet til RF effektforstærkere

Produktpræstation

Høj gevinstkarakteristik, høj kollektor effektivitet, stabil ydeevne ved høje frekvenser, i stand til at håndtere høje effektudgange

Tekniske Specifikationer

Silicium NPN epitaxial planar type, Vceo = 25 V, Ic = 100 mA, P tot = 2W

Dimensioner, Form og Forpakning

TO-220 pakke, kompakt hul-monteret design, sendt i antistatisk emballage

Kvalitet og Tillid

Konsistent produktionskvalitet, pålidelig ydeevne under krævende forhold, dokumenteret historik i RF applikationer

Produktfortrinn

Høj effektgevinst, effektivitet i RF effektforstærkning, holdbar konstruktion

Produktkonkurrenceevne

Anset i radio kommunikationsområdet, konkurrencedygtig prissat inden for sin kategori

Kompatibilitet

Brugbar med et bredt udvalg af RF kredsløb, standard integration med eksisterende radiosystemer

Standardcertificering og Overholdelse

Opfylder relevante standarder inden for den elektroniske industri, overholder RoHS-direktiver

Levetid og Bæredygtighed

Lang driftstid under specificerede forhold, konstrueret med hensyn til miljøpåvirkning

Virkelige Anvendelsesområder

CB-radioer, amatør radio-transceivere, udsendelseseffektkilder, RF energiapplikationer

2SC2879 er nyt og original på lager, Find 2SC2879 elektronik komponenter lager, datablad, lager og pris på Ariat-Tech. Online, Bestil 2SC2879 TOSHIBA med garanti og tillid fra Ariat Technology Limitd. Send via DHL / FedEx / UPS. Betaling med bankoverførsel eller PayPal er OK.
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ 2SC2879 Online.