| SI2369DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| Varenummer | SI2369DS-T1-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beskrivelse | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Mængde Tilgængelig | 8000 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | 1.SI2369DS-T1-GE3.pdf2.SI2369DS-T1-GE3.pdf3.SI2369DS-T1-GE3.pdf |
| SI2369DS-T1-GE3 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af SI2369DS-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | SI2369DS-T1-GE3 | Kategori | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beskrivelse | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Pakke / tilfælde | SOT-23-3 (TO-236) | Mængde Tilgængelig | 8000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | FET Type | P-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 30 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Basisproduktnummer | SI2369 | ||
| Hent | SI2369DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
SI2369DS-T1-GE3
Introduktion
Klein signal P-Kanal MOSFET
Mærke og Producent
Vishay / Siliconix
Funktioner
TrenchFET Serie, P-Kanal MOSFET Teknologi, Blyfri, RoHS-kompatibel, Overflademontering TO-236 Pakke, Høj kontinuerlig drænstyrke
Produktpræstation
Bredt drifts temperatur interval fra -55°C til 150°C, Egnet til høj effekt tab op til 2.5W, Fremragende Rds On ydeevne
Tekniske Specifikationer
Drain til Source Spænding (Vdss): 30V, Gate-Sourced Spænding (Vgs): ±20V, Gate Tærskel Spænding (Vgs(th)): 2.5V
Dimensioner, Form og Forpakning
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pakke, Tape & Reel (TR) emballage til automatiseret samling
Kvalitet og Tillid
Højst pålidelig Siliconix konstruktion
Produktfortrinn
Effektiv energistyring, Reduseret energitab
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtig i høj densitet effekt applikationer
Kompatibilitet
Kompatibel med standard overflademontering teknikker
Standardcertificering og Overholdelse
ROHS-kompatibel for miljøsikkerhed
Levetid og Bæredygtighed
Designet til langvarig pålidelighed
Virkelige Anvendelsesområder
Energistyring i bærbare elektroniske enheder, Omkoblings- og forstærkningsapplikationer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ SI2369DS-T1-GE3 Online.
| SI2369DS-T1-GE3 lager | SI2369DS-T1-GE3 pris | SI2369DS-T1-GE3 Electronics | |||
| SI2369DS-T1-GE3 komponenter | SI2369DS-T1-GE3 Inventory | SI2369DS-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverandør SI2369DS-T1-GE3 | Bestil SI2369DS-T1-GE3 Online | Forespørgsel SI2369DS-T1-GE3 | |||
| SI2369DS-T1-GE3 billede | SI2369DS-T1-GE3 Billede | SI2369DS-T1-GE3 PDF | |||
| SI2369DS-T1-GE3 datablad | Download SI2369DS-T1-GE3 Dataark | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Relaterede dele til SI2369DS-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | Vishay Siliconix | ||
 |
Si2371EDS-T1-E3 | Si2371EDS-T1-E3 Son | Son | ||
|
SI2367DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI2366DS/RCR1557SJ | VISHAY SOT-163 | VISHAY | ||
|
SI2367DS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
Si2367DS-T1-E3 | Si2367DS-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI2371EDS-T1-BE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
SI2372DS | SI2372DS AOS | AOS | ||
|
SI2367DS-T1-BE3 | P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
Si2366DS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
SI2369BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI2367DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI2371EDS | VISHAY | |||
|
SI2366DS-T1-GE3 IC | VISHAY SOT23-3 | VISHAY | ||
|
SI2369DS-T1-BE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
|
SI2369DS-T1-GE3 MOS | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
|
SI2371EDS-T1-GE3 MOS | VISHAY SOT-23 | VISHAY | ||
|
SI2372DS-T1-E3 | SI2372DS-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI2371EDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.