| SIE808DF-T1-E3 | |
|---|---|
| Varenummer | SIE808DF-T1-E3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Mængde Tilgængelig | 2955 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | SIE808DF-T1-E3.pdf |
| SIE808DF-T1-E3 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af SIE808DF-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | SIE808DF-T1-E3 | Kategori | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beskrivelse | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Pakke / tilfælde | 10-PolarPAK® (L) | Mængde Tilgængelig | 2955 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | Pakke / tilfælde | 10-PolarPAK® (L) |
| Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 20 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Basisproduktnummer | SIE808 | ||
| Hent | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
SIE808DF-T1-E3
Introduktion
Højtydende N-kanal MOSFET
Mærke og Producent
Vishay / Siliconix
Funktioner
TrenchFET-teknologi, Høj kontinuerlig dræningsstrøm på 60A, Lav on-modstand på 1,6 mOhm, Hurtig switching-hastighed
Produktpræstation
Høj effektivitet med reducerede energitab, Termisk håndteringskapacitet
Tekniske Specifikationer
MOSFET (Metal Oxid) Teknologi
Dimensioner, Form og Forpakning
10-Pole PAk (L) Pakke, Overflademonteret, Tape & Reel (TR) emballage
Kvalitet og Tillid
Fungerer ved temperaturer fra -55°C op til 150°C
Produktfortrinn
Energibesparelse til effektive applikationer
Produktkonkurrenceevne
Markedsleder inden for Power MOSFETs
Kompatibilitet
Kompatibel med standard overflademonteringsprocesser
Standardcertificering og Overholdelse
Overholdelse af industri standarder for MOSFETs
Levetid og Bæredygtighed
Designet til langtidsholdbarhed
Virkelige Anvendelsesområder
Strømstyring i computing, Telekommunikationsinfrastruktur, Industrielle applikationer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ SIE808DF-T1-E3 Online.
| SIE808DF-T1-E3 lager | SIE808DF-T1-E3 pris | SIE808DF-T1-E3 Electronics | |||
| SIE808DF-T1-E3 komponenter | SIE808DF-T1-E3 Inventory | SIE808DF-T1-E3 Digikey | |||
| Leverandør SIE808DF-T1-E3 | Bestil SIE808DF-T1-E3 Online | Forespørgsel SIE808DF-T1-E3 | |||
| SIE808DF-T1-E3 billede | SIE808DF-T1-E3 Billede | SIE808DF-T1-E3 PDF | |||
| SIE808DF-T1-E3 datablad | Download SIE808DF-T1-E3 Dataark | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Relaterede dele til SIE808DF-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE806DF MOS | VISHAY PolarPAK | VISHAY | ||
|
SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE806DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE812DF | SIE812DF vishay | vishay | ||
|
SIE806DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE812DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE808DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE810DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIE808DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.