| FQA11N90 | |
|---|---|
| Varenummer | FQA11N90 |
| Fabrikant | Fairchild Semiconductor |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P |
| Mængde Tilgængelig | Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | FQA11N90.pdf |
| FQA11N90 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af FQA11N90 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | FQA11N90 | Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Fabrikant | Fairchild Semiconductor | Beskrivelse | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P |
| Pakke / tilfælde | TO-3P | Mængde Tilgængelig | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | TO-3P |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 900 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FQA11N90 Online.
| FQA11N90 lager | FQA11N90 pris | FQA11N90 Electronics | |||
| FQA11N90 komponenter | FQA11N90 Inventory | FQA11N90 Digikey | |||
| Leverandør FQA11N90 | Bestil FQA11N90 Online | Forespørgsel FQA11N90 | |||
| FQA11N90 billede | FQA11N90 Billede | FQA11N90 PDF | |||
| FQA11N90 datablad | Download FQA11N90 Dataark | Producent | |||
| Relaterede dele til FQA11N90 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
FQA10N60C | MOSFET N-CH 600V 10A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQA11N90F | ON TO-3PF | ON | ||
 |
FQA11N90C_F109 | FQA11N90C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA12N20 | ||||
|
FQA10N80_F109 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N40 | FQA11N40 FSC | FSC | ||
 |
FQA11N90-F109 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN | onsemi | ||
|
FQA11N90C-F109 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | ||
|
FQA10N80C | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N60C | MOSFET N-CH 600V 10A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N90_F109 | FQA11N90_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA10N80C_F109 | FQA10N80C_F109 N/A | N/A | ||
|
FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | onsemi | ||
|
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | Fairchild/ON Semiconductor | ||
|
FQA11N90C/FQA11N90 | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
|
FQA10N80 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQA11N90 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P | onsemi | ||
|
FQA10N80C-F109 | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | onsemi | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.