SIRA18ADP-T1-GE3 | |
---|---|
Varenummer | SIRA18ADP-T1-GE3 |
Fabrikant | Vishay Siliconix |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8 |
Mængde Tilgængelig | 28000 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
ECAD -model | |
Dataark | 1.SIRA18ADP-T1-GE3.pdf2.SIRA18ADP-T1-GE3.pdf3.SIRA18ADP-T1-GE3.pdf4.SIRA18ADP-T1-GE3.pdf |
SIRA18ADP-T1-GE3 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Teknisk information af SIRA18ADP-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Producentens varenummer | SIRA18ADP-T1-GE3 | Kategori | |
Fabrikant | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8 |
Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 | Mængde Tilgængelig | 28000 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 14.7W (Tc) | Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 |
Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS) | 30 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 30.6A (Tc) |
Basisproduktnummer | SIRA18 | ||
Hent | SIRA18ADP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIRA18ADP-T1-GE3
N-kanal 30V, 30.6A MOSFET i PowerPAK SO-8 pakke
Electro-Films (EFI) / Vishay
Metal Oxid Halvleder Felt-Effekt Transistor (MOSFET) teknologi. Høj kontinuerlig drænk strøm på 30.6A. Lav on-modstand på 8.7 mOhm.
Effektafgivelse på 14.7W. Drifts temperatur fra -55°C til 150°C. Gate-sourced spænding op til ±20V.
Gate tærskel spænding maks 2.4V ved 250µA. Gate ladning maks 21.5nC ved 10V. Indgangskapacitans maks 1000pF ved 15V.
Indpakket i klippet tape (CT). PowerPAK SO-8 form faktor.
Fugtigheds følsomhedsniveau (MSL) er 1. Udvidet industrielt drifts temperaturinterval.
Overflademonterings teknologi til høj-densitet PCB-designs. Effektiv energikonvertering med lav varmeafgivelse.
Designet til optimal termisk ydelse. En konkurrencedygtig mulighed i energistyrings applikationer.
Kompatibel med standard SMT monterings teknikker.
Overholder ROHS, halogenfri standarder.
Robust design for lang driftslevetid.
Strømforsynings kredsløb. DC-DC konvertere. Motor drev. Automobil- og industribrug.
SIRA18ADP-T1-GE3 lager | SIRA18ADP-T1-GE3 pris | SIRA18ADP-T1-GE3 Electronics |
SIRA18ADP-T1-GE3 komponenter | SIRA18ADP-T1-GE3 Inventory | SIRA18ADP-T1-GE3 Digikey |
Leverandør SIRA18ADP-T1-GE3 | Bestil SIRA18ADP-T1-GE3 Online | Forespørgsel SIRA18ADP-T1-GE3 |
SIRA18ADP-T1-GE3 billede | SIRA18ADP-T1-GE3 Billede | SIRA18ADP-T1-GE3 PDF |
SIRA18ADP-T1-GE3 datablad | Download SIRA18ADP-T1-GE3 Dataark | Producent Electro-Films (EFI) / Vishay |