| SIRA28BDP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Varenummer | SIRA28BDP-T1-GE3 |
| Fabrikant | Vishay Siliconix |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8 |
| Mængde Tilgængelig | 110000 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| ECAD -model | |
| Dataark | SIRA28BDP-T1-GE3.pdf |
| SIRA28BDP-T1-GE3 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | SIRA28BDP-T1-GE3 | Kategori | |
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | Beskrivelse | MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8 |
| Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 | Mængde Tilgængelig | 110000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 17W (Tc) | Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 |
| Pakke | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 582 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | - | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 30 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 38A (Tc) |
| Basisproduktnummer | SIRA28 |
Produktmodel
SIRA28BDP-T1-GE3
Introduktion
Højtydende N-Kanal MOSFET
Mærke og Producent
Vishay / Siliconix
Funktioner
Lav Rds On, Høj Drain-Source Spænding, Overflademonterings Teknologi, Høj Kontinuerlig Drainstrøm, Optimeret til Strømstyring
Produktpræstation
Effektiv Varmeafledning, Robust Termisk Ydelse, Pålidelig Drift ved Høje Temperaturer
Tekniske Specifikationer
N-Kanal MOSFET, Rds On 7.5mOhm, Drain til Source Spænding 30V, Kontinuerlig Drainstrøm 18A (Ta), 38A (Tc), Driftstemperaturinterval -55°C til 150°C
Dimensioner, Form og Forpakning
PowerPAK SO-8, Overflademonterbar
Kvalitet og Tillid
Testet for Holdbarhed, Overholder Industriens Standarder
Produktfortrinn
Energibesparende, Lav On-Modstand, Forbedret Strømhåndtering
Produktkonkurrenceevne
Konkurrencedygtigt Forhold mellem Pris og Ydeevne
Kompatibilitet
Alsidige Overflademonteringsapplikationer
Standardcertificering og Overholdelse
Opfylder Anvendelige Industrielle Standarder
Levetid og Bæredygtighed
Designet til Lang Levetid
Virkelige Anvendelsesområder
Strømforsyninger, Motorstyringer, Strømstyringssystemer
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ SIRA28BDP-T1-GE3 Online.
| SIRA28BDP-T1-GE3 lager | SIRA28BDP-T1-GE3 pris | SIRA28BDP-T1-GE3 Electronics | |||
| SIRA28BDP-T1-GE3 komponenter | SIRA28BDP-T1-GE3 Inventory | SIRA28BDP-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverandør SIRA28BDP-T1-GE3 | Bestil SIRA28BDP-T1-GE3 Online | Forespørgsel SIRA28BDP-T1-GE3 | |||
| SIRA28BDP-T1-GE3 billede | SIRA28BDP-T1-GE3 Billede | SIRA28BDP-T1-GE3 PDF | |||
| SIRA28BDP-T1-GE3 datablad | Download SIRA28BDP-T1-GE3 Dataark | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Relaterede dele til SIRA28BDP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
SIRA50DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIRA26DP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SIRA34DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA20DP-T1-GE3 | SIRA20DP-T1-GE3 Vishay | Vishay | ||
|
SIRA34DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA36DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIRA20BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA32DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA26DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA22DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA24DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA22ADP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA52ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA24DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIRA50ADP-T1-GE3 | VISHAY | |||
|
SIRA50ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIRA28BDP-T1-GE3-G | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SIRA36DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
Nyheder
Mere
Microchips Polarfire® SOC FPGA har modtaget AEC -Q100 -certificering, hvilket bekræfter dens pålidelighed under barske bilforhold, herunder drift f...
PSOCTM 4000T er Infineons første produkt, der indeholder virksomhedens femte generation af CapSense ™ -teknologi og multi-sense-funktionalitet.Denne...
En leverandør for bildele afslørede, at EV -udvikling på det nordamerikanske marked er stoppet, da bilproducenter vælger at udvide levetiden for d...
Infineon og Eatron udvider deres AI Battery Management System (BMS) samarbejde om industriel og forbrugerelektronik.Baseret på Infineons PSOC ™ -mik...
På Semiconductor annoncerede for nylig lanceringen af sin første realtid, indirekte tid-af-fly (ITOF) sensor, Hyperlux ID-serien, der kan udfør...
Nye produkter
Mere
PD30-serie fotoelektriske sensor Carlo Gavazzis miniature fotoelektriske sensorer er højtydende i e...
XC112 / XR112 Evalueringssæt til A111 pulserende kohærent radarAcconeers XC112 og XR112 evalueringssæt med flade fleksible kabler og understøtter ...
MINAS A6 Seriens servodrev og motorer Panasonics MINAS A6-familie sikrer stabil drift ved at undertr...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED driver bord til XE og XP1 serie UV-C emittere RayVio's ultravi...
Industriel og udvidet test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-enheder garanterer drift ved forhøjede for...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966TILFØJE: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelelse om ophavsret © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle rettigheder forbeholdes.